TBHPF1高通濾波器 150K-3G
LISN射頻輸出處的殘余50 Hz電壓：
LISN的DUT端子上存在全交流電源電壓。RF耦合電容器和1K電阻器形成分壓器，分壓器確定RF連接器處50Hz電壓的幅度。
TBHPF1高通濾波器 150K-3G 考慮0.1μF電容器，其在50 Hz時的阻抗為32K。與1K電阻器一起，在沒有任何負(fù)載的情況下，LISN的RF端子處產(chǎn)生的50Hz電壓約為6.6V。假設(shè)50歐姆負(fù)載與1K電阻器并聯(lián)，剩余50 Hz電壓將變得可忽略不計(jì)。
一些LISN可能需要使用更高的值，以滿足較低頻率下的阻抗規(guī)范。假設(shè)電容器為0.5μF，LISN射頻端的殘余50Hz電壓將高達(dá)31V。如果存在與1K電阻器并聯(lián)的50歐姆負(fù)載，則這仍然會降低到可忽略的值。
然而，低成本分析儀不太可能在50Hz時具有50歐姆的輸入阻抗。通常，對于低于9kHz的頻率，不輸入阻抗。此外，如前所述，低成本分析儀在RF輸入端使用GaAs開關(guān)，這在低頻率下是固有的。
因此，在頻譜分析儀或測量接收器的RF輸入處放置9 kHz高通濾波器或150 kHz高通濾波器將提供對50 Hz殘余電壓的良好保護(hù)。由于其在通帶中的插入損耗非常低，因此不會減小測量的動態(tài)范圍。
技術(shù)指標(biāo)：
n 50歐姆反射式高通濾波器
n 3dB帶寬：150KHz – 3GHz
n 最大輸入電壓：100V , 250V@持續(xù)時間＜5s
n 頻率小于150KHz和開路輸出時最大允許輸入電流：650 mA
n 最大輸入功率：10W @ 300KHz – 3GHz
n 接口：N型
n 尺寸：26×26×82 mm
n 重量：約100 g
